题  目：新一代功率半导体器件与芯片研究进展

  报告人： 卢继武 教授

  时  间：2023年5月25日（周四）晚上19:00

  地  点：高研院学术报告厅（建工楼B1301）

【报告摘要】宽禁带半导体材料（碳化硅、氧化镓）具有高击穿场强、高电子耐压、低导通电阻等优点，在大功率电力转换、电动车、航天探测等领域有着重要的应用前景。但是其高电学性能和高长期可靠性能的平衡依然制约其大规模的商用化。本报告将对制约碳化硅高长期可靠性的物理机理、可靠性表征测试方法、工艺改进、器件新结构的设计等进行讨论。最后也将对第四代宽禁带氧化镓功率器件的前瞻性研究进行介绍。

【报告人简介】 卢继武，博士，教授，博士生导师，湖南大学国家电能变换与控制工程技术研究中心成员，湖南大学超大功率半导体所骨干成员。担任工信部芯火双创基地、长沙集成电路设计化基地创业专家导师，长沙市新一代半导体集成电路产业链工业特派员。15年以来，一直从事先进互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)集成电路相关的研究，包括器件可靠性电路测试、超快速电路的设计与测试、微能源芯片。在美国国家标准局主导研发的“快速测试电路测试系统”打破了当时的器件电学性能测试速度的世界记录，第一次得到器件在真实CPU中工作状态的电学特性参数。目前从事的研究方向为面向电力电子应用的功率半导体电子器件，包括:基于Si的LDMOS芯片设计、功率器件的物理机理与可靠性表征、第四代功率半导体Ga2O3的研究等。在相关研究方向上，获得多个国家级、省部级项目支撑，发表高水平文章50多篇，为多个期刊的审稿人。

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